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@@ -4,12 +4,13 @@
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## TinyFlashDB设计前言
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-在单片机日常开发中，总会需要存储一些信息，这时就需要使用单片机FLASH存储的方案，目前单片机存储的方案有很多，比如：EASYFLASH、FLASHDB、OSAL_NV等等方案，他们程序都非常大，在存储不多的变量时不值得。而且现有方案的代码中很少有考虑到flash写入出错的情况。
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+在单片机日常开发中，总会需要存储一些信息，这时就需要使用单片机FLASH存储的方案，目前单片机存储的方案有很多，比如：EASYFLASH、FLASHDB、OSAL_NV等等方案，他们程序都非常大，在存储不多的变量时不值得。而且很少有考虑到flash写入出错的情况。
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在实际产品中，嵌入式产品flash写入可能会受各种因素影响（电池供电、意外断电、气温等）从而并不是很稳定，一旦出现错误，会导致产品一系列问题。
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## TinyFlashDB设计理念
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不同于其他很多的KV型数据库，TinyFlashDB每一个需要存储的变量都会分配一个单独的单片机flash扇区，变量长度不可变。
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+所以TinyFlashDB仅适用于存储几个关键性变量（例如：IAP跳转标志、系统断电时间等等），不适合大规模数据存储（大规模数据存储可使用EASYFLASH等）。
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TinyFlashDB在设计时就考虑了写入错误的影响，追求力所能及的安全保障、资源占用方面尽可能的缩小（不到1kb代码占用）、尽可能的通用性（可以移植到51等8位机，无法逆序写入的stm32L4系列，某些flash加密的单片机和其他普通32位机上）。
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## TinyFlashDB使用示例
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@@ -20,8 +21,7 @@ const tfdb_index_t test_index = {
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.flash_addr = 0x4000,
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.flash_size = 256,
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.value_length = 2,
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-
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-};
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+};/* c99写法，如果编译器不支持，可自行改为c89写法 */
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tfdb_addr_t addr = 0; /*addr cache*/
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uint8_t test_buf[4]; /*aligned_value_size*/
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@@ -122,7 +122,7 @@ Flash初始化后头部信息为4字节，所以只支持1、2、4、8字节操
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|value_from数据内容|value_from的和校验|end_byte|end_byte|
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-每次写入后都会再读取出来进行校验，如果校验不通过，就会继续在下一个地址写入。指导达到最大写入次数（TFDB_WRITE_MAX_RETRY）或者头部校验错误。
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+每次写入后都会再读取出来进行校验，如果校验不通过，就会继续在下一个地址继续尝试写入。直到达到最大写入次数（TFDB_WRITE_MAX_RETRY）或者头部校验错误。
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读取数据时也会计算和校验，不通过的话继续读取，直到返回校验通过的最新数据，或者读取失败。
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CoderNotCute